功能描述:IGBT 模块 1200V 50A Phase Leg IGBT Module
RoHS:否
制造商:Infineon Technologies
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:1.95 V
在25 C的连续集电极电流:230 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:445 W
最大工作温度:+ 125 C
封装 / 箱体:34MM
封装:
GA05JT01-46
GA05JT03-46
GA05JT12-247
GA05JT12-263
GA05SHT12-220
GA05SHT12-247
GA05SLT12-220
GA060TH65
GA060TH65-227SP
GA06JT12-247
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